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[½ÅÁ¦Ç°] ÀÎÇǴϾð, 950V CoolMOS P7 ¼öÆÛÁ¤¼Ç MOSFET
2018³â 10¿ù 1ÀÏ (¿ù) 00:00:00 |   Áö¸é ¹ßÇà ( 2018³â 10¿ùÈ£ - Àüü º¸±â )



ÀÎÇǴϾð, 950V CoolMOS P7 ¼öÆÛÁ¤¼Ç MOSFET
ÀÌÀü ¼¼´ë Á¦Ç°±º ´ëºñ ½ºÀ§Äª ¼Õ½Ç ÃÖ´ë 58% °¨¼Ò


°íÀü·Â¹Ðµµ ÀúÀü·Â SMPS µðÀÚÀÎÀ» À§ÇÑ °íÀü¾Ð MOSFET¿¡ ´ëÇÑ ¼ö¿ä°¡ ´Ã¾î³²¿¡ µû¶ó, ÀÎÇǴϾð Å×Å©³î·ÎÁö½º(ÄÚ¸®¾Æ ´ëÇ¥ÀÌ»ç À̽¼ö)°¡ »õ·Î¿î 950V CoolMOSP7 ¼öÆÛÁ¤¼Ç MOSFETÀ» Ãâ½ÃÇß´Ù.


ÀÌ Á¦Ç°Àº Á¶¸í, ½º¸¶Æ®¹ÌÅÍ, ¸ð¹ÙÀÏ ÃæÀü±â, ³ëÆ®ºÏ ¾î´ðÅÍ, º¸Á¶ Àü¿øÀåÄ¡, »ê¾÷¿ë SMPS ¾ÖÇø®ÄÉÀ̼ÇÀÇ ±î´Ù·Î¿î µðÀÚÀÎ ¿ä±¸ »çÇ×À» ÃæÁ·ÇÑ´Ù. 950V CoolMOS P7Àº BOM(bill of materials)°ú ½Ã½ºÅÛ ºñ¿ëÀ» ³·Ãß°í, ¿­ ¼º´É°ú È¿À²ÀÌ ¿ì¼öÇÏ´Ù.


950V CoolMOS P7 DPAKÁ¦Ç°Àº RDS(on)ÀÌ ¿ì¼öÇØ ´õ ³ôÀº ¹ÐµµÀÇ µðÀÚÀÎÀ» ´Þ¼ºÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù. VGS(th)°¡ ¶Ù¾î³ª°í VGS(th) ¿ÀÂ÷°¡ ³·À¸¹Ç·Î MOSFET ±¸µ¿°ú ¼³°è¸¦ ½±°Ô ÇÑ´Ù. P7 Á¦Ç°±ºÀÇ ´Ù¸¥ Á¦Ç°µé°ú ¸¶Âù°¡Áö·Î Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå ESD º¸È£±â´ÉÀ» ÅëÇÕÇØ ¾î¼Àºí¸® ¼öÀ²À» ³ôÀÌ°í, ºñ¿ëÀ» Àý°¨Çϸç, ESD °ü·Ã »ý»ê ¹®Á¦¸¦ ÁÙÀδÙ.


¶ÇÇÑ 950V CoolMOS P7 Á¦Ç°Àº ÃÖ´ë 1% ´õ ³ôÀº È¿À²°ú 2~10¡É ´õ ³·Àº MOSFET ¿Âµµ·Î ´õ È¿À²ÀûÀÎ µðÀÚÀÎÀ» °¡´ÉÇÏ°Ô ÇÑ´Ù. ÀÌÀü ¼¼´ë CoolMOS Á¦Ç°±º°ú ºñ±³Çؼ­ ½ºÀ§Äª ¼Õ½ÇÀÌ ÃÖ´ë 58%±îÁö ´õ ³·À¸¸ç, °æÀï»ç Á¦Ç°°ú ºñ±³Çؼ­´Â 50% ÀÌ»ó ´õ ³·´Ù.


950V CoolMOS P7 Á¦Ç°Àº TO-220 FullPAK, TO-251 PI AK LL, TO-252 DPAK, SOT-223 ÆÐÅ°Áö·Î Á¦°øµÈ´Ù. µû¶ó¼­ THD¿¡¼­ SMD Á¦Ç°À¸·Î ÀüȯÀÌ °¡´ÉÇÏ´Ù.


ÇÑÆí ÀÎÇǴϾð Å×Å©³î·ÎÁö½º´Â »ýÈ°ÀÇ Æí¸®ÇÔ°ú ¾ÈÀü, ±×¸®°í ģȯ°æÀ» Ãß±¸ÇÏ´Â ¼¼°è ¹ÝµµÃ¼ ¼Ö·ç¼Ç ½ÃÀåÀÇ ¼±µÎÁÖÀÚ´Ù. ÀÎÇǴϾðÀÇ ¸¶ÀÌÅ©·ÎÀÏ·ºÆ®·Î´Ð½º´Â ´õ ³ªÀº ¹Ì·¡¸¦ À§ÇÑ ÇÙ½É ±â¼úÀÌ´Ù. 2017³â ȸ°è³âµµ(9¿ù 30ÀÏ ¸¶°¨) ±âÁØ ÀÎÇǴϾðÀº Àü ¼¼°è ¾à 37,500¸íÀÇ Á÷¿øµé°ú ÇÔ²² 71¾ï À¯·Î ¸ÅÃâÀ» ´Þ¼ºÇß´Ù.


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ÇÖ´º½º (5,369)
½ÅÁ¦Ç° (1,702)
Àü±â±â¼ú (922)
ƯÁý/±âȹ (899)
Àü½ÃȸŽ¹æ/¿¡³ÊÁöÇöÀå (335)
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