[신제품] 인피니언, 1,200V CoolSiC™ MOSFET 전력 모듈 출시

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[신제품] 인피니언, 1,200V CoolSiC™ MOSFET 전력 모듈 출시

2019년 3월 1일 (금) 00:00:00 | 지면 발행 ( 2019년 3월호 - 전체 보기 )

인피니언, UPS 및 ESS 애플리케이션 위한
1,200V CoolSiC™ MOSFET 전력 모듈 출시

실리콘 카바이드(SiC) 솔루션에 대한 빠른 수요 증가를 충족하기 위해 인피니언 테크놀로지스가 새로운 1,200V CoolSiC™ MOSFET 제품군을 출시했다.

CoolSiC Easy 2B 전력 모듈은 전력 밀도를 높여 시스템 비용을 낮추고, 운영비용도 크게 낮출 수 있도록 한다. 실리콘 IGBT 대비 스위칭 손실이 약 80% 낮으므로, 99% 이상의 인버터 효율을 달성할 수 있다. SiC의 특성을 활용해서 동일하거나 더 높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있다. 이 점은 UPS나 에너지저장장치 같은 고속 스위칭 애플리케이션에 특히 유리하다.

Easy 2B 표준 패키지를 적용한 전력 모듈은 기생 인덕턴스가 업계에서 가장 낮다. 인피니언은 하프 브리지, 6팩, 부스터 모듈 등 Easy 패키지를 적용해 다양한 구성의 SiC 제품을 제공한다. 이 신제품은 하프 브리지 구성의 CoolSiC Easy 2B를 사용해 4팩(단상)과 6팩(3상) 토폴로지를 손쉽게 구현할 수 있다. 이를 통해 하프 브리지 토폴로지로 지원 가능한 전력대를 확장하게 됐으며, 스위치당 온 저항(RDS(ON))은 6mΩ에 불과하다. 이는 Easy 2B 패키지를 적용한 디바이스로는 업계에 새로운 기준을 제시하는 것이라고 한다.

또한 CoolSiC MOSFET 칩에 바디 다이오드를 통합해 저손실 프리휠링 기능이 가능하고 별도의 다이오드 칩이 필요하지 않다. NTC 온도 센서를 통합해 디바이스 모니터링을 할 수 있고, PressFIT 기술을 적용해 디바이스를 탑재할 때 어셈블리 시간을 단축할 수 있다.

이 전력 모듈의 주요 장점으로는 냉각 활동 절감을 위한 최고 효율, 수명 연장 및 신뢰도 향상, 더 높은 주파수 운용, 시스템 비용 절감, 전력 밀도의 증가, 시스템 복잡성 감소, 설계와 실행의 용이성 등이 있다.

인피니언은 현재 CoolSiC MOSFET Easy 2B 모듈의 공급을 시작했다. 최근에는 Easy 1B 패키지로 RBS(ON)이 45mΩ인 최초의 CoolSiC™ MOSFET 6팩 모듈을 출시했다. 이 제품군에 관한 추가 정보는 www.infineon.com/coolsic-mosfet에서 확인할 수 있다.

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