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인피니언, OptiMOS™ 25 V 전력 MOSFET 출시
2020-03-01

인피니언, OptiMOS™ 25 V 전력 MOSFET 출시 
새로운 산업표준 패키지‘ Source Down’ 적용 

인피니언 테크놀로지스가 새로운 산업 표준 패키지인 ‘Source Down’을 적용한 첫 전력 MOSFET으로 OptiMOS™ 25V 제품을 출시했다.

PQFN 3.3×3.3 ㎜ 패키지의 이 제품은 첨단 전력관리 디자인 문제를 해결하기 위해 부품 차원의 향상을 통해 개발된 제품으로 MOSFET 성능에서 새로운 기준을 제시해 준다. 이 디바

이스는 낮아진 온(on) 상태 저항과 뛰어난 열관리 능력을 제공하여, 드라이브, SMPS(서버, 텔레콤, OR-ing), 배터리 관리등의 다양한 애플리케이션에 적합하다.

새로운 패키지 컨셉은 드레인(drain) 전위 대신 소스(source) 전위를 열 패드로 연결함으로써 새로운 PCB 레이아웃이 가능해지고 더 높은 전력 밀도와 성능 향상을 가능하게 해준다. Source-Down 표준 게이트와 Source-Down 중앙 게이트 두 가지 풋프린트 버전이 PQFN 3.3×3.3 ㎜ 패키지로 제공된다. Source-Down 표준 게이트 풋프린트는 현행 PQFN 3.3×3.3 ㎜ 핀아웃 구성을 사용한다. 전기 배선 위치가 동일하므로, 표준 Drain-Down 패키지를 새로운 Source-Down 패키지로 바로 교체할 수 있다. 중앙 게이트 버전은 게이트 핀을 중앙으로 옮겨서 여러 개의 MOSFET을 손쉽게 병렬로 구성할 수 있다. 드레인-소스 연면거리가 더 넓기 때문에 단일 PCB 레이어로 여러 디바이스의 게이트들을 연결할 수 있다. 또한 게이트를 중앙으로 옮김으로써 소스 면적이 넓어지고 디바이스의 전기적 연결을 향상시킬 수 있다.

이번 신제품 개발을 통해 현행 기술 대비 RDS(on)을 30%까지 낮출 수 있으며 접합부 대 케이스 열 저항(RthJC) 역시 현행 PQFN 패키지 대비 크게 향상된다. PCB 손실을 줄이고, 열 성능이 뛰어나 다양한 첨단 엔지니어링 디자인에 적용할 수 있다.

ST마이크로일렉트로닉스 02-3489-0114 www.st.com

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