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ST마이크로일렉트로닉스, 고전압 게이트 드라이버 출시
2020-12-01

ST마이크로일렉트로닉스, 고전압 게이트 드라이버 출시
소형 SO-8W 패키지 기반, 6 ㎸ 갈바닉 절연 기능 갖춰

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 소형의 고전압 게이트 드라이버인 STGAP2HS를 출시해 게이트 구동 채널과 저전압 제어 및 인터페이스 회로 사이에 최대 6 ㎸의 갈바닉 절연이 필요한 애플리케이션을 지원한다. 이 1200 V 디바이스는 최대 4 A의 출력 전류를 싱크 및 소싱할 수 있어 설계를 간소화하는 것은 물론, 중·고전력 컨버터와 전원공급장치, 가전기기 인버터를 비롯해 공장 자동화, 팬, 인덕션 히터, 용접기, UPS와 같은 산업용 장비의 신뢰성을 향상시켜준다.

ST의 BCD6 기술을 이용해 구현된 이 디바이스는 설계자가 신호 극성을 제어할 수 있는 듀얼 입력 핀을 갖추고 있으며, 컨트롤러가 오작동할 경우 교차전도를 방지하도록 인터로킹(Interlocking) 보호 기능을 제공한다. 입력은 3.3 V까지 CMOS/TTL 로직과 호환되므로 제어 디바이스와 쉽게 인터페이스가 가능하다. 또한, 저전압 및 고전압 구간 간의 전파 지연을 일치시킴으로써 사이클 왜곡을 방지하고, 에너지 손실을 최소화하며, 고주파수 동작이 가능하다. CMTI(Common-Mode Transient Immunity)는 전체 온도범위 -40~125°C에서 ±100 V/ns이다.

STGAP2HS는 두 가지 구성으로 제공된다. 하나는 별도의 출력 핀들로서 전용 게이트 저항을 이용해 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 최적화할 수 있다. 두 번째 구성은 하프 브리지 토폴로지의 고속 정류 중 게이트 스파이크를 방지하는 밀러-클램프(Miller-Clamp) 기능과 단일 출력 핀을 제공한다. 각 구성을 통해 설계자는 하이-사이드 및 로우-사이드 브리지 회로에서 N-채널 MOSFET을 사용해 외부 부품 원가를 낮출 수 있다.

STGAP2HS는 과열 보호 기능과 함께 저전압 구간과 고전압 구동 채널 모두에 대해 전용 UVLO 보호 및 열 셧다운 보호 기능을 통합하고 있다. 이는 전원 스위치가 저효율 또는 위험한 조건에서 동작하지 않도록 해 신뢰성을 높여준다. 75 ns 미만의 입력 대 출력 전파 지연으로 정확한 PWM(Pulse-Width Modulation) 제어가 가능하며, 대기모드를 통해 설계자는 시스템의 전력소비를 줄일 수 있다.

ST마이크로일렉트로닉스 070-4699-5320 www.st.com
 

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